Samsung anuncia primeira DRAM DDR5 de 12 nanômetros do mundo, com até 16 GB
A Samsung anunciou, nesta quarta-feira (21), o desenvolvimento de uma nova DRAM do tipo DDR5 com 12 nanômetros. O novo componente consegue entregar até 16 GB de memória volátil e é uma evolução para o processo de tecnologia utilizado hoje pela própria empresa coreana.
Com o fim do ano chegando, a Samsung tende a apresentar novos componentes mais velozes, eficientes e evoluídos para equipar os melhores e mais caros produtos do ano seguinte. Em 2022 este cenário não muda e já temos os detalhes superficiais da primeira DRAM de 16 GB em DDR5 com base em 12 nanômetros.
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Memória DRAM DDR5 de 12 nm (Imagem: divulgação/Samsung)
A marca coreana comenta que conseguiu aumentar a quantidade de memória da DRAM DDR5 e mudar seu processo de fabricação, por conta de novos materiais utilizados na confecção do componente. Ele alterou a capacitância do módulo, enquanto continua em um design proprietário da Samsung.
Nova DRAM da Samsung gasta menos energia
O resultado deste novo processo de fabricação está na produtividade do wafer, que subiu 20%. Em velocidade a nova DRAM alcança 7,2 Gbps e isso significa o processamento de dois filmes 4K de 30 GB cada, em apenas um segundo. Junte tudo isso com outro avanço importante para o componente, que é a eficiência energética.
A Samsung diz que o DDR5 consegue gastar 23% menos energia do que a geração anterior. O foco na economia de eletricidade pode significar redução de custos para servidores e a popularização do módulo para dispositivos que utilizam bateria para funcionar, como notebooks. Também é importante para ajudar na redução da pegada de carbono de algumas empresas.
Memória DRAM DDR5 de 12 nm (Imagem: divulgação/Samsung)
A produção em massa da nova DRAM DDR5 será iniciada já no ano que vem e o novo módulo é completamente compatível com a AMD – o chip foi otimizado e validado para plataformas Zen.
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